功率MOSFET恐怕是工程師們最常用的器件之一了，但你知道嗎？關于MOSFET的器件選型要考慮方方面面的因素，小到選N型還是P型、封裝類型，大到MOSFET的耐壓、導通電阻等，不同的應用需求千變?nèi)f化，下面這篇文章總結了MOSFET器件選型的10步法則，相信看完你會大有收獲。

1、功率MOSFET選型步：P管，還是N管？

功率MOSFET有兩種類型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設計的過程中選擇N管還是P管，要針對實際的應用具體來選擇，N溝道MOSFET選擇的型號多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號較少，成本高。

如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅動、變壓器驅動或自舉驅動，驅動電路復雜；P溝道可以直接驅動，驅動簡單。

需要考慮N溝道和P溝道的應用主要有：

（1）筆記本電腦、臺式機和服務器等使用的給CPU和系統(tǒng)散熱的風扇，打印機進紙系統(tǒng)電機驅動，吸塵器、空氣凈化器、電風扇等家電的電機控制電路，這些系統(tǒng)使用全橋電路結構，每個橋臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系統(tǒng)48V輸入系統(tǒng)的熱插撥MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。

（3）筆記本電腦輸入回路串聯(lián)的、起防反接和負載開關作用的二個背靠背的功率MOSFET，使用N溝道需要控制芯片內(nèi)部集成驅動的充電泵，使用P溝道可以直接驅動。

2、選取封裝類型

功率MOSFET的溝道類型確定后，第二步就要確定封裝，封裝選取原則有：

（1）溫升和熱設計是選取封裝最基本的要求

不同的封裝尺寸具有不同的熱阻和耗散功率，除了考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度，如是否有風冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素，基本原則就是在保證功率MOSFET的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOSFET。

有時候由于其他條件的限制，需要使用多個MOSFET并聯(lián)的方式來解決散熱的問題，如在PFC應用、電動汽車電機控制器、通信系統(tǒng)的模塊電源次級同步整流等應用中，都會選取多管并聯(lián)的方式。

如果不能采用多管并聯(lián)，除了選取性能更優(yōu)異的功率MOSFET，另外可以采用更大尺寸的封裝或新型封裝，例如在一些AC/DC電源中將TO220改成TO247封裝；在一些通信系統(tǒng)的電源中，采用DFN8*8的新型封裝。

（2）系統(tǒng)的尺寸限制

有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN56、DFN33的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，裝配時TO220封裝的功率MOSFET管腳直接插到根部，高度的限制不能使用TO247的封裝。

有些超薄設計直接將器件管腳折彎平放，這種設計生產(chǎn)工序會變復雜。

在大容量的鋰電池保護板的設計中，由于尺寸限制極為苛刻，現(xiàn)在大多使用芯片級的CSP封裝，盡可能的提高散熱性能，同時保證最小的尺寸。

（3）成本控制

早期很多電子系統(tǒng)使用插件封裝，這幾年由于人工成本增加，很多公司開始改用貼片封裝，雖然貼片的焊接成本比插件高，但是貼片焊接的自動化程度高，總體成本仍然可以控制在合理的范圍。在臺式機主板、板卡等一些對成本極其敏感的應用中，通常采用DPAK封裝的功率MOSFET，因為這種封裝的成本低。

因此在選擇功率MOSFET的封裝時，要結合自己公司的風格和產(chǎn)品的特點，綜合考慮上面因素。

3、選取導通電阻RDSON，注意：不是電流

很多時候工程師關心RDSON，是因為RDSON和導通損耗直接相關，RDSON越小，功率MOSFET的導通損耗越小、效率越高、溫升越低。

同樣的，工程師盡可能沿用以前項目中或物料庫中現(xiàn)有的元件，對于RDSON的真正的選取方法并沒有太多的考慮。當選用的功率MOSFET的溫升太低，出于成本的考慮，會改用RDSON大一些的元件；當功率MOSFET的溫升太高、系統(tǒng)的效率偏低，就會改用RDSON小一些的元件，或通過優(yōu)化外部的驅動電路，改進散熱的方式等來進行調(diào)整。

如果是一個全新的項目，沒有以前的項目可循，那么如何選取功率MOSFET的RDSON？這里介紹一個方法給大家：功耗分配法。

當設計一個電源系統(tǒng)的時候，已知條件有：輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率、工作頻率、驅動電壓，當然還有其他的技術指標和功率MOSFET相關的主要是這些參數(shù)。步驟如下：

（1）根據(jù)輸入電壓范圍、輸出電壓/輸出電流、效率，計算系統(tǒng)的更大損耗。

（2）功率回路的雜散損耗，非功率回路元件的靜態(tài)損耗，IC的靜態(tài)損耗以及驅動損耗，做大致的估算，經(jīng)驗值可以占總損耗的10%～15%。

如果功率回路有電流取樣電阻，計算電流取樣電阻的功耗。總損耗減去上面的這些損耗，剩下部分就是功率器件、變壓器或電感的功率損耗。

將剩下的功率損耗按一定的比例分配到功率器件和變壓器或電感中，不確定的話，按元件數(shù)目平均分配，這樣就得到每個MOSFET的功率損耗。

（3）將MOSFET的功率損耗，按一定的比例分配給開關損耗和導通損耗，不確定的話，平均分配開關損耗和導通損耗。

（4）由MOSFET導通損耗和流過的有效值電流，計算更大允許的導通電阻，這個電阻是MOSFET在更高工作結溫的RDSON。

數(shù)據(jù)表中功率MOSFET的RDSON標注有確定的測試條件，在不同的定義的條件下具有不同的值，測試的溫度為：TJ=25℃，RDSON具有正溫度系數(shù)，因此根據(jù)MOSFET更高的工作結溫和RDSON溫度系數(shù)，由上述RDSON計算值，得到25℃溫度下對應的RDSON。

（5）由25℃的RDSON來選取型號合適的功率MOSFET，根據(jù)MOSFET的RDSON實際參數(shù)，向下或向上修整。

通過以上步驟，就初步選定功率MOSFET的型號和RDSON參數(shù)。