一、晶閘管

　　1、別名：可控硅是一種大功率半導(dǎo)體器件，常用做交流開關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安

　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率

　　3、主要應(yīng)用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-直流）

二、MOS(MOSFET)管

　　1、作用：

　　MOS管多被用作電子開關(guān)，用在控制回路中控制負(fù)載的通斷。柵極有電容效應(yīng)，即使斷開了電源，柵極上可能仍保持著電壓。

　　2、特性：

　　MOSFET高輸入阻抗、驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。N溝道開啟電壓一般在2~4V；P溝道開啟電壓一般在-2~-4V。

　　3、辨別NNOS、PMOS方法：

　　借助寄生二極管來辨別。將萬用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S，黑表筆接D，有數(shù)值顯示，反過來接無數(shù)值，說明是N溝道；若情況相反是P溝道。

　　4、應(yīng)用領(lǐng)域：

　　步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、電鉆工具、工業(yè)開關(guān)電源、新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無人機(jī)、交通運(yùn)輸領(lǐng)域、車載逆變器、汽車HID安定器、電動(dòng)自行車、綠色照明領(lǐng)域、CCFL節(jié)能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮(zhèn)流器。

三、IGBT

　　1、名稱：絕緣柵雙極型晶體管，是MOS管和三極管的結(jié)合體，主要作用是逆變和變頻，俗稱電力電子裝置的“CPU”。

　　2、特點(diǎn)：兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。呈7大特性：1、80%IGBT帶阻尼二極管，且可以替代不帶阻尼管使用；2、可以理解為大功率三極管和場(chǎng)效應(yīng)管組成，但不能簡(jiǎn)單代替使用；3、檢測(cè)方式可以是蜂鳴檔，也可以是二極管檔位；4、繼承了場(chǎng)效應(yīng)管的高阻抗和三極管的高反壓的優(yōu)點(diǎn)，耐電壓、耐電流，低功耗；5、應(yīng)用范圍管：電流10-3300A、電壓600-6500V、工作頻率10-30Kh；6、可做高速開關(guān)使用；7、啟動(dòng)電壓低3V左右，飽和導(dǎo)通電壓較高為5-15V。

　　3、應(yīng)用領(lǐng)域：非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

　　由于硬件條件不足、自身知識(shí)水平有限，可能有講的不恰當(dāng)之處，敬請(qǐng)各位多多指正！本人本著相互學(xué)習(xí)，共同進(jìn)步的誠(chéng)心，歡迎各位來電交流。