MOS管一般不需要電流，只要一個(gè)GS電壓高于一定的峰值就夠了，在MOS管的結(jié)構(gòu)中，可以了解到在GS和GD間存在電容，而驅(qū)動(dòng)就是對(duì)電容的放電。而驅(qū)動(dòng)電壓更大值是多少，大概在什么范圍內(nèi)？

過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓Vod=Vgs-Vth?？蒪ai以理解為：du超過(guò)驅(qū)動(dòng)門限（Vth）的剩余電壓大小。

1)只有在你的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓“dao大于零”的情況下，溝道才會(huì)形成，MOS管才會(huì)工作。也就是說(shuō)，能夠使用過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)判斷晶體管是否導(dǎo)通。

2）溝道電荷多少直接與過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓二次方成正比。也就是說(shuō)，能夠使用過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)計(jì)算飽和區(qū)的電流。

3）如果能夠更加深入理解的話，可以領(lǐng)悟到過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓不單單適用于指代Vgs，也適用于指代Vgd。

Vod1=Vgs-Vth；

Vod2=Vds-Vth；

如果兩種Vod都大于零，說(shuō)明晶體管溝道全開(kāi)，也就是處于線性區(qū)。只有一種Vod大于零，說(shuō)明晶體管溝道半開(kāi)（在DS任意一端沒(méi)打開(kāi)有夾斷），也就是處于飽和區(qū)。MOS管驅(qū)動(dòng)電壓閾值電壓受襯偏bai效應(yīng)的影響，即襯底偏置電位，du零點(diǎn)五微米工藝zhi水平下一階mos spice模型的標(biāo)準(zhǔn)dao閾值電壓為nmos0.7v pmos負(fù) 0.8，過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓為Vgs減Vth。

MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃度等于空穴濃度的狀態(tài)。此時(shí)器 件處于臨界導(dǎo)通狀態(tài)，器件的柵電壓定義為閾值電壓，MOSFET的重要參數(shù)之一 。

MOS管的閾值電壓等于背柵和源極接在一起時(shí)形成溝道需要的柵極對(duì)source偏置電壓。如果柵極對(duì)源極偏置電壓小于閾值電壓，就沒(méi)有溝道。 

在運(yùn)行過(guò)程中，要了解MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的更大值，這樣就能從中推斷出相應(yīng)的原理，尤其在數(shù)據(jù)上更能夠體現(xiàn)的明顯。